2017년 삼성 3D NAND와 DRAM 18nm 전환 투자 본격화 예상

2018년부터 중국 업체(XMC, 시노킹 테크놀로지 등)의 메모리 Fab. 가동 시작이 예상되는 가운데 경쟁력 격차를 벌이기 위한 삼성의 2017년 3D NAND와 DRAM 18nm 미세화 투자가 본격화될 전망이다. NAND 수요의 40%를 차지하고, 70% B/G를 보이고 있는 SSD 시장을 선점하기 위해서는 3D NAND 투자가 필수적이다. 삼성의 내년 NAND B/G 목표는 최소 40% 이상이기 때문에 신규 증설이 필요하다. 평택 단지에 신규로 3D NAND 40K 이상이 예상된다.

삼성의 18nm 생산이 시작된 가운데 내년부터 본격적인 전환이 시작될 전망이다. 올해 마이크론과 SK하이닉스의 20nm 대량 공급이 시작되므로 내년에 본격적인 18nm 전환을 통해 경쟁력 격차를 계속 벌일 수 있다. SK하이닉스와 Micron의 생산의 50% 이상이 20nm 물량으로 예상된다.

2017년 삼성의 DRAM 생산의 30-40%는 18nm 물량으로 예상된다. 전환 투자로 인해 감가상각비 증가가 우려되지만 ASP가 하락하는 상황에서 우너가 절감폭을 늘려 격차와 이익을 유지하는 게 중요하다. 18nm DRAM 신규 증설이 필요하다면 회성의 17라인 Phase2 투자가 유력하다.

관련주: 원익IPS, 유진테크, 디엔에프, 테스

3D NAND와 DRAM 18nm 전환 투자 수혜주는 증착 장비 업체인 원익IPS, 유진테크, 테스이다. 원익IPS는 3D NAND/DRAM ARC(반사도를 낮추기 위한 무반사막을 증착)와 TEOS(금속과 금속 사이의 절연을 위한 막을 증착), O-N-O(산화막+질화막+산화막 증착) 공정 PECVD, 유진테크는 3D NAND향 Plasma Treatment 장비와 DRAM향 LPCVD, 테스는 3D NAND ACL(하드마스크) 공정 PECVD와 DRAM향 Dry Etcher 증가가 예상된다.

추가적으로 유진테크와 테스는 SK하이닉스의 3D NAND 전환 및 신규 증설 20K 투자 수혜도 가능하다. 특히 유진테크의 경우 28조원을 투자하여 NAND 공장을 짓기로한 중국 업체 XMC가 2017년 하반기부터 2018년까지 200K 규모의 장비 발주가 예상됨에 따라 대규모 수주가 가능하다.

디엔에프는 18nm 생산이 늘어나면서 증가하는 DPT/QPT 공정용 프리커서와 3D NAND 절연체로 사용되는 HCDS 공급이 증가할 전망이다. 3D NAND와 DRAM 18nm 전환 투자 수혜주들은 올해 하반기부터 2017년 실적 성장에 대한 기대감으로 주가 Rerating이 예상된다.

신한금융투자.pdf