3D NAND 48단 본격화로 PE CVD 방식 확대 전망
 
- PE CVD는 플라즈마를 활용한 증착 기술로 3D NAND에서 사용되는 PE CVD로는 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 증착, ARC(Anti reflective coating) 증착 및 ACL (Amorphous Carbon Layer) 증착 등이 있음 
- ONO 증착용 PE CVD 장비의 경우 3D NAND Stack을 위한 것으로 Oxide와 Nitride를 순차적으로 증착해야 하며 48단으로 가면서 더 얇고 균일하게 증착해야 하는 기술 요구. 해당 ONO 증착 장비업체에는 원익IPS, ACL증착장비 업체에는 테스 등이 있음
 
 
3D NAND의 경우 Metal CVD 활용도 증대
 
- 3D NAND의 경우 Nitride를 HSN(High Selectivity Nitride)으로 식각한 부분에 메탈 CVD로 텅스텐 메탈게이트를 증착하는 공정이 필수적 
- 텅스텐 증착 과정을 보면 육불화텅스텐(WF6)과 수소(H2)가 반응하여 텅스텐(W)막질을 형성. 참고로 텅스텐 메탈게이트 화학반응식은 WF6 + 3H2 → W + 6HF 이며 메탈 CVD 장비 내 챔버에서 반응하게 됨 
- 3D NAND Metal Gate 증착 장비는 원익IPS, WF6 소재는 OCI머티리얼즈 및 후성이 담당할 것으로 판단
 
 
ALD는 원자단위로 증착하는 기술로 주로 전구체와 반응 Gas로 막질 형성
 
- ALD(Atomic Layer Deposition)는 원자 단위로 증착하는 기술로 주로 Precursor라고 불리는 전구체와 반응 Gas로 막질을 형성. 특히 3D NAND는 CTF구조로 ALD공정 확대 예상. ALD공정은 굴곡이 심한 곳이나 Hole 깊이가 매우 깊은 곳에 막질 Layer를 구현하는데 사용됨 
- ALD공정에서 리간드가 붙어 있는 전구체는 반응 전에 해당 패턴에 부착하게 되고 O2나 N2와 같은 반응 Gas와 반응하면 리간드는 떨어져 나가고 막질이 형성 
- ALD공정 확대로 ALD 장비 및 전구체 사용 증가할 것으로 전망되는데 관련주로는 DPT(Double Patterning Technology)장비를 진행하고 있는 원익IPS, PE CVD용 특수가스를 공급하고 있는 원익머트리얼즈, 전구체를 공급하고 있는 디엔에프가 수혜를 입을 것으로 판단

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