삼성전자, 3차원 수직구조 낸드 생산
 세계 최초로 양산라인에서 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 생산에 성공. 3D V-NAND는 메모리 셀을
수직으로 적층해 기존 평면구조에 비해 집적도를 획기적으로 높인 기술. 이는 3차원 원통형 CTF 구조와 3
차원 수직 적층이라는 기술 진보를 기반으로 함. 이달부터 샘플 생산과 고객사 품질인증이 진행될 예정이
어서 연말 즈음 품질인증 절차 완료될 것으로 기대.
SSD 시장을 겨냥해 내년 상반기 Xian Fab 에서 양산 전망
 셀간의 간섭이 크게 줄어 쓰기속도와 수명, 전력효율이 크게 개선된 것으로 파악. MLC 기반의 3D VNAND는
SLC 수준의 성능을 바탕으로 서버용 SSD에 채택되고, TLC 기반의 3D V-NAND는 MLC 수준
의 성능을 바탕으로 PC용 SSD 시장에 채택될 것으로 기대. 양산은 중국 Xian Fab에서 진행될 예정이며,
Xian Fab이 가동되는 2014년 상반기 중에 양산이 본격화될 전망.

130807_dy.pdf